BYC30X-600PSQ · Composants électroniques
- Fabricant
- WeEn Semiconductors
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 2.75 V @ 30 A
Produits
SR5200L-TP · Composants électroniques
- Fabricant
- Micro Commercial Co
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 800 MV @ 5 A
GSXD050A010S1-D3 · Composants électroniques
- Fabricant
- SemiQ
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 50A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 150°C
GSXD050A015S1-D3 · Composants électroniques
- Fabricant
- SemiQ
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 50A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 150°C
VS-E5TX1206FP-N3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 2.23 V @ 12 A
APT2X30D60J · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 30A
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.8 V @ 30 A
ERT3AAF_R1_00001 · Composants électroniques
- Fabricant
- Panjit International Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 50 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 950 MV @ 3 A
GSXD050A006S1-D3 · Composants électroniques
- Fabricant
- SemiQ
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 50A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 150°C
ER1004F_T0_00001 · Composants électroniques
- Fabricant
- Panjit International Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 10 A
DSEP2X31-12A · Composants électroniques
- Fabricant
- IXYS
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 30A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 150°C
RGP10KE-E3/54 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 800 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 1 A
DAA200X1800NA · Composants électroniques
- Fabricant
- IXYS
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 100A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 150°C
BYC15-1200PQ · Composants électroniques
- Fabricant
- WeEn Semiconductors
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 1200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 3.2 V @ 15 A
VS-UFL250CB60 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 130A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 175°C
VS-15ETX06S-M3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 50 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 3.2 V @ 15 A
MDA72-08N1B · Composants électroniques
- Fabricant
- IXYS
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 113A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 150°C
1N4937GPE-E3/54 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.2 V @ 1 A
APT2X30D40J · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 30A
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.5 V @ 30 A