NDSH50120C · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 µA @ 1200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.75 V @ 50 A
Produits
MUR2X030A04 · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 30A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 175°C
· Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.25 V @ 1.5 A
MSRT250160A · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 250A (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
PCDP20120G1_T0_00001 · Composants électroniques
- Fabricant
- Panjit International Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 180 µA @ 1200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.7 V @ 20 A
MBR2X100A080 · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 100A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 150°C
1N5822H · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 µA @ 40 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 525 MV @ 3 A
MBR2X100A045 · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 100A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 150°C
PCDP15120G1_T0_00001 · Composants électroniques
- Fabricant
- Panjit International Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 140 µA @ 1200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.7 V @ 15 A
MSRT100160AD · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 100A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
CMPD2004 · Composants électroniques
- Fabricant
- Central Semiconductor Corp
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 NA @ 240 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 100 MA
DMA240YC1600NA · Composants électroniques
- Fabricant
- IXYS
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 240A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 150°C
IDW32G65C5BXKSA2 · Composants électroniques
- Fabricant
- Infineon Technologies
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 µA @ 650 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.7 V @ 16 A
MBR2X080A200 · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 80A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 150°C
ES3GB · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.13 V @ 3 A
· Composants électroniques
- Fabricant
- WAGO Corporation
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 6.3A
- Température de jonction en fonctionnement
- -25°C ~ 40°C
FFSH3065A · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 µA @ 650 V
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 175°C
SVM845L_R1_00001 · Composants électroniques
- Fabricant
- Panjit International Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 250 µA @ 45 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 500 MV @ 8 A