SB540L_R2_00001 · Composants électroniques
- Fabricant
- Panjit International Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 µA @ 40 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 490 MV @ 5 A
Produits
MSCD200-12 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microsemi Corporation
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 200A
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 300 A
1N4148WS-E3-18 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.2 V @ 100 MA
FST10045 · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 100A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
PG601R_R2_00001 · Composants électroniques
- Fabricant
- Panjit International Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 6 A
VS-VSKD166/04PBF · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 82.5A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 150°C
HS1D · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 1 A
MSRTA400100A · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 400A (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
RBR1L40ATE25 · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 50 µA @ 40 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 520 MV @ 1 A
FST10020 · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 100A
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 650 MV @ 100 A
BAS16WHE3-TP · Composants électroniques
- Fabricant
- Micro Commercial Co
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 75 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 50 MA
MBR2X100A150 · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 100A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 150°C
ES3FBH · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 300 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.13 V @ 3 A
322CNQ030 · Composants électroniques
- Fabricant
- SMC Diode Solutions
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 150A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
BAS16-HE3-18 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 75 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.25 V @ 150 MA
MBR2X160A180 · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 160A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 150°C
ST10100S · Composants électroniques
- Fabricant
- SMC Diode Solutions
- Courant de fuite inverse à Vr
- 250 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 680 MV @ 10 A
S8BL-TP · Composants électroniques
- Fabricant
- Micro Commercial Co
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 8 A