MSRTA6001R · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 600A (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
Produits
BAT85S-TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2 µA @ 25 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 800 MV @ 100 MA
MSRTA6001 · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 600A (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
ES3F · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 300 V
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
FST160100 · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 160A (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
RGP15K-E3/54 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 800 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 1.5 A
MBRT20080R · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 100A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
S3MBHR5G · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 1000 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.15 V @ 3 A
MBR40020CT · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 200A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
1N5398GP-E3/54 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 800 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.4 V @ 1.5 A
MBR30020CTR · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 150A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
SS1FH6HM3/H · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 3 µA @ 60 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 700 MV @ 1 A
MBRT20030R · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 100A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
1N4383GP-E3/54 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 1 A
MBRT300200 · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 150A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
MSRT15060AD · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 150A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
FR2K · Composants électroniques
- Fabricant
- SMC Diode Solutions
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 800 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 2 A
ER3GHE3-TP · Composants électroniques
- Fabricant
- Micro Commercial Co
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 3 A