30CTQ060 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 15A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
Produits
VS-4ECH06-M3/9AT · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 3 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.85 V @ 4 A
42CTQ030STRL · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 20A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
· Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 400 µA @ 40 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 450 MV @ 1 A
SB560-E3/73 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 µA @ 60 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 650 MV @ 5 A
30CTQ035 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 15A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 175°C
V3NM153-M3/H · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 35 µA @ 150 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 970 MV @ 3 A
40L15CT · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 20A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 125°C
40L15CTS · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 20A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 125°C
SJPL-L4VR · Composants électroniques
- Fabricant
- Sanken Electric USA Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 50 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 3 A
RF103L2STE25 · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 920 MV @ 1 A
VSKDL450-20S20 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 460A
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 2.2 V @ 1800 A
MURS320-E3/9AT · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 875 MV @ 3 A
32CTQ030S · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 15A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
20CJQ045 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 1A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
NRVB1240MFST3G · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 µA @ 40 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 680 MV @ 12 A
V30K150HM3/I · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 350 µA @ 150 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.4 V @ 30 A
VSKDL240-14S20 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 250A
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.57 V @ 800 A