MURB2020CT · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 10A
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 175°C
Produits
1N5821US/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 30 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 500 MV @ 3 A
HFA16PA120C · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 8A (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
RGP30J-E3/54 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 3 A
25CTQ040 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 15A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
JAN1N5711UR-1 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 NA @ 50 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 15 MA
MBRB2090CT · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 10A
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 150°C
FMB-G24H · Composants électroniques
- Fabricant
- Sanken Electric USA Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 MA @ 40 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 550 MV @ 10 A
48CTQ060-1 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 20A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
JAN1N5622US · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 NA @ 1000 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 3 A
HFA280NJ60C · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 222A (DC)
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.6 V @ 140 A
CMR3U-01 · Composants électroniques
- Fabricant
- Central Semiconductor Corp
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 3 A
322CNQ030 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 150A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 175°C
JANTX1N5620US · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 NA @ 800 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 3 A
30CTQ035S · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 15A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 175°C
PMEG100T200ELPEZ · Composants électroniques
- Fabricant
- Nexperia USA Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 840 MV @ 20 A
15CTQ045 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 7.5A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
JAN1N5616US · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 NA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 3 A