B260S1F-7 · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 µA @ 60 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 650 MV @ 2 A
Produits
MMBD6100LT1 · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 200mA (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
VS-60APU06-N3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 50 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.68 V @ 60 A
BAW56T-7 · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 75mA (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 150°C
PMEG2010AEH · Composants électroniques
- Fabricant
- Nexperia USA Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 µA @ 20 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 430 MV @ 1 A
MMBD2838LT1 · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 100mA
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
STTH1502DI · Composants électroniques
- Fabricant
- STMicroelectronics
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 15 A
MMBD101LT1 · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Boîtier
- Bande et bobine (TR) Bande coupée (CT)
CCS15S40 · Composants électroniques
- Fabricant
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 µA @ 40 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 550 MV @ 1.5 A
87CNQ020A · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 40A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
SBLF10L25-E3/45 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 800 µA @ 25 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 460 MV @ 10 A
MMBD2837LT1 · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 100mA
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
RS1B-13-F · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 1 A
BAV23C-7 · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 400mA (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 150°C
VS-ETH3106FP-N3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 2.15 V @ 30 A
MMBD4448HTM-7 · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 250mA
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 150°C
S1G · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 1 A
MMBD3004BRM-7 · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 225mA (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 150°C