MBR4050PT · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 40A
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 150°C
Produits
FFPF30UA60S · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 2.2 V @ 30 A
· Composants électroniques
- Fabricant
- Infineon Technologies
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 120mA (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- 150°C (Max)
SE10DTGHM3/I · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 15 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.15 V @ 10 A
· Composants électroniques
- Fabricant
- Infineon Technologies
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 200mA (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- 150°C (Max)
PMEG3010AESBYL · Composants électroniques
- Fabricant
- Nexperia USA Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 255 µA @ 20 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 480 MV @ 1 A
BAW56SB6327XT · Composants électroniques
- Fabricant
- Infineon Technologies
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 200mA (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- 150°C (Max)
FDLL333 · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 3 NA @ 125 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.15 V @ 300 MA
MBR3050PT · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 20A
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 150°C
MUR320SBHR5G · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 900 MV @ 3 A
BAW56WE6327HTSA1 · Composants électroniques
- Fabricant
- Infineon Technologies
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 200mA (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- 150°C (Max)
BAV21WS-G3-08 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 NA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.25 V @ 200 MA
BAV99WB6327XT · Composants électroniques
- Fabricant
- Infineon Technologies
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 200mA (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- 150°C (Max)
RGP30D-E3/73 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 3 A
· Composants électroniques
- Fabricant
- Infineon Technologies
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 200mA
- Température de jonction en fonctionnement
- 150°C (Max)
STTH4R02UY · Composants électroniques
- Fabricant
- STMicroelectronics
- Courant de fuite inverse à Vr
- 3 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.05 V @ 4 A
ISL9K460P3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 4A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 175°C
SS24-LTP · Composants électroniques
- Fabricant
- Micro Commercial Co
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 µA @ 40 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 550 MV @ 2 A