MBRB30H45CTHE3/81 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 15A
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 175°C
Produits
PMEG10020AELRX · Composants électroniques
- Fabricant
- Nexperia USA Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 300 NA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 770 MV @ 2 A
UH4PCC-M3/87A · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 2A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 175°C
· Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 800 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.15 V @ 1.5 A
SS2FH10HM3/H · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 860 MV @ 2 A
UH4PCCHM3/86A · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 2A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 175°C
UGB10DCTHE3/81 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 5A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 150°C
SS2PH10-M3/85A · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 800 MV @ 2 A
MBRA130LT3G · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 MA @ 30 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 410 MV @ 1 A
UGB8JCT-E3/81 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 4A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
SL13-E3/61T · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 µA @ 30 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 445 MV @ 1 A
UGB10BCTHE3/81 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 5A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 150°C
V2FL45HM3/H · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 570 µA @ 45 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 560 MV @ 2 A
MBRB3045CTHE3/81 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 15A
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 150°C
SS1H10-E3/61T · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 770 MV @ 1 A
SS8P6CHM3/86A · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 4A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
SBRT3U45SAF-13 · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant de fuite inverse à Vr
- 150 µA @ 45 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 480 MV @ 3 A
MBRB25H60CT-E3/81 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 15A
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 175°C