VSSA210-E3/61T · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 150 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 700 MV @ 2 A
Produits
FEPF16DT-E3/45 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 8A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
CMOD2004 · Composants électroniques
- Fabricant
- Central Semiconductor Corp
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 NA @ 240 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 100 MA
UGB18DCTHE3_A/I · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 18A
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 150°C
UH4PCC-M3/86A · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 2A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 175°C
EGP10D · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 950 MV @ 1 A
BYT28-400HE3/45 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 5A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 150°C
SS36LW · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 µA @ 60 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 700 MV @ 3 A
UGB18BCT-E3/81 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 18A
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 150°C
STTH102A · Composants électroniques
- Fabricant
- STMicroelectronics
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 970 MV @ 1 A
SS8P5CHM3/86A · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 4A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
MBRS1100T3G · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 750 MV @ 1 A
FEPF16BT-E3/45 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 8A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
CMAD4448 · Composants électroniques
- Fabricant
- Central Semiconductor Corp
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 NA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 910 MV @ 100 MA
BYQ28EF-200HE3_A/P · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 5A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 150°C
STPS140Z · Composants électroniques
- Fabricant
- STMicroelectronics
- Courant de fuite inverse à Vr
- 40 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 550 MV @ 1 A
UGB10GCT-E3/81 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 5A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 150°C
SS1P4L-M3/84A · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 150 µA @ 40 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 480 MV @ 1 A