MBRF30H60CT-E3/45 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 15A
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 175°C
Produits
FSV20150V · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 30 µA @ 150 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 840 MV @ 20 A
MBRF15H45CTHE3/45 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 7.5A
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 175°C
B330LA-M3/61T · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 µA @ 30 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 500 MV @ 3 A
SBL1030CT-E3/45 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 5A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 125°C
MSC030SDA070S · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 µA @ 700 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.8 V @ 30 A
SBLB25L20CT-E3/45 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 12.5A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
S3G · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.2 V @ 3 A
VS-15EWL06FNTR-M3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.05 V @ 15 A
MBRF30H100CTHE3/45 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 15A
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 175°C
1N5618US · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 NA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 3 A
MBRF1550CT-E3/45 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 7.5A
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 150°C
FSV1060V · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 220 µA @ 60 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 520 MV @ 10 A
SB10H150CT-1E3/45 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 5A
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 175°C
1N4004GP-E3/54 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 1 A
SBLB2030CT-E3/45 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 10A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
MBRF2550CT-E3/45 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 15A
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 150°C
1N5619US · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 NA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.6 V @ 3 A