SBT80-10LS · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 8A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
Produits
BAS16GWJ · Composants électroniques
- Fabricant
- Nexperia USA Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 NA @ 80 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.25 V @ 150 MA
UGF10BCTHE3_A/P · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 5A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 150°C
SBR2U150SA-13 · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant de fuite inverse à Vr
- 75 µA @ 150 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 800 MV @ 2 A
DA3X101F0L · Composants électroniques
- Fabricant
- Panasonic Electronic Components
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 100mA (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- 150°C (Max)
MSKD36-08 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microsemi Corporation
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 36A
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.25 V @ 100 A
CMF04(TE12L · Composants électroniques
- Fabricant
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Courant de fuite inverse à Vr
- 50 µA @ 800 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 2.5 V @ 500 MA
SBT100-16JS · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 10A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
BAS316Z · Composants électroniques
- Fabricant
- Nexperia USA Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 NA @ 80 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.25 V @ 150 MA
UGB18DCTHE3_A/P · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 18A
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 150°C
RB162LAM-40TFTR · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 40 V
- Température de jonction en fonctionnement
- 150°C (Max)
1N3595 · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 NA @ 125 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 200 MA
SBR30A100CTE · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 15A
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 175°C
BAS3005A02VH6327XTSA1 · Composants électroniques
- Fabricant
- Infineon Technologies
- Courant de fuite inverse à Vr
- 300 µA @ 30 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 500 MV @ 500 MA
MSCD60-08 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microsemi Corporation
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 60A
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 200 A
RB501V-40_R1_00001 · Composants électroniques
- Fabricant
- Panjit International Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 10 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 550 MV @ 100 MA
V40100K-E3/4W · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 20A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 150°C
1N5061TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.15 V @ 2.5 A