CDST-21A-G · Composants électroniques
- Fabricant
- Comchip Technology
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 200mA
- Température de jonction en fonctionnement
- 150°C (Max)
Produits
BYV29X-600 · Composants électroniques
- Fabricant
- WeEn Semiconductors
- Courant de fuite inverse à Vr
- 50 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.26 V @ 8 A
1SS405 · Composants électroniques
- Fabricant
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 NA @ 20 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 550 MV @ 50 MA
MBRT50040 · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 250A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
UFT14260 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microsemi Corporation
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 70A
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.35 V @ 70 A
MBR1045-E3/45 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 45 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 570 MV @ 10 A
M1MA152KT1G · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 NA @ 75 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.2 V @ 100 MA
CDBH3-54S-G · Composants électroniques
- Fabricant
- Comchip Technology
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 200mA (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- 125°C (Max)
VS-12CWQ10FNTRPBF · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 6A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
BAT54HT1G · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2 µA @ 25 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 800 MV @ 100 MA
MBRT50030 · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 250A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
VS-MUR820-M3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 975 MV @ 8 A
CDST-21S-G · Composants électroniques
- Fabricant
- Comchip Technology
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 200mA
- Température de jonction en fonctionnement
- 150°C (Max)
1N914ATR · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 75 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 20 MA
FST16090 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microsemi Corporation
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 80A
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 960 MV @ 80 A
1N4448WS-E3-08 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 75 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 720 MV @ 5 MA
VB20100S-E3/8W · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 900 MV @ 20 A
CDBD2060-HF · Composants électroniques
- Fabricant
- Comchip Technology
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 20A (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C