US1DHE3_A/H · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 1 A
Produits
VS-UFB200CB40P · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 142A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 175°C
NRTS12100PFST3G · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 120 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 800 MV @ 12 A
UGE18CCT-E3/45 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 18A
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 150°C
CMPD2003 · Composants électroniques
- Fabricant
- Central Semiconductor Corp
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 NA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.25 V @ 200 MA
B0540W · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 20 µA @ 40 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 510 MV @ 500 MA
VS-81CNQ040APBF · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 40A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 175°C
V6WL45C-M3/I · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 3A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 150°C
RB068MM-60TFTR · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1.5 µA @ 60 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 765 MV @ 2 A
VS-88CNQ060ASMPBF · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 40A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
STPST15H100SB-TR · Composants électroniques
- Fabricant
- STMicroelectronics
- Courant de fuite inverse à Vr
- 28 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 740 MV @ 15 A
VS-MBRB2080CTTRLP · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 10A
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 150°C
SS1200-LTP · Composants électroniques
- Fabricant
- Micro Commercial Co
- Courant de fuite inverse à Vr
- 50 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 920 MV @ 1 A
VS-6CWQ06FNTRLPBF · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 3.5A
- Température de jonction en fonctionnement
- -40°C ~ 150°C
CRS11(TE85L · Composants électroniques
- Fabricant
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1.5 MA @ 30 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 360 MV @ 1 A
VS-85CNQ015ASMPBF · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 40A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 125°C
SVT20120UB_R2_00001 · Composants électroniques
- Fabricant
- Panjit International Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 35 µA @ 120 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 790 MV @ 20 A
VS-MBRB2045CTTRLP · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 10A
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 150°C