V35PWM153HM3/I · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 µA @ 150 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.05 V @ 35 A
Produits
VS-43CTQ100GSTRRP · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 20A
- Température de jonction en fonctionnement
- 175°C (Max)
EGL41B-E3/96 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 1 A
VS-110CNQ045ASLPBF · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 110A
- Température de jonction en fonctionnement
- 150°C (Max)
BAT54FILMY · Composants électroniques
- Fabricant
- STMicroelectronics
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 30 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 900 MV @ 100 MA
VS-30CTQ100GPBF · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 15A
- Température de jonction en fonctionnement
- 175°C (Max)
V8PL63-M3/H · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 180 µA @ 60 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 580 MV @ 8 A
VS-42CTQ030STRRPBF · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 20A
- Température de jonction en fonctionnement
- 150°C (Max)
RF201LAM4STR · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.2 V @ 1.5 A
VS-30CTQ080-N3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 15A
- Température de jonction en fonctionnement
- 175°C (Max)
SS26SHE3_B/H · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 µA @ 60 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 750 MV @ 2 A
VS-81CNQ035ASMPBF · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 40A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 175°C
SBR12A45SP5-13 · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant de fuite inverse à Vr
- 300 µA @ 45 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 600 MV @ 12 A
VS-HFA60EA120P · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 30A (DC)
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
VSS8D5M6HM3/H · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 350 µA @ 60 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 500 MV @ 2.5 A
VS-30CTQ080STRRPBF · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 15A
- Température de jonction en fonctionnement
- 175°C (Max)
PMEG2010BER · Composants électroniques
- Fabricant
- Nexperia USA Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 50 µA @ 20 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 450 MV @ 1 A
VS-MBRB3030CTLTRRP · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 15A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C