Produits
1N6628US · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2 µA @ 660 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.35 V @ 2 A
JAN1N6630U/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2 µA @ 990 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.4 V @ 1.4 A
MIL-PRF-19500 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2 µA @ 900 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.4 V @ 1.4 A
1N6663/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 50 NA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 400 MA
S-89130BC-K8T2U · Composants électroniques
- Fabricant
- SII Semiconductor
- Conditionnement
- Bobine
S-89140BC-I8T1U · Composants électroniques
- Fabricant
- SII Semiconductor
- Conditionnement
- Bobine
1N6631US · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 4 µA @ 1100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.4 V @ 1.4 A
JANTXV1N5420/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.5 V @ 9 A
JAN1N6631US · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 4 µA @ 1100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.6 V @ 1.4 A
JANTX1N6626US/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.35 V @ 2 A
UES1001/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 175°C
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 975 MV @ 1 A
UES1102E3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 975 MV @ 2 A
JAN1N6628US · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2 µA @ 660 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.35 V @ 2 A
JANTXV1N6622U/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 NA @ 660 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.4 V @ 1.2 A
UES1101/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 175°C
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 975 MV @ 2 A
1N6628US/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.5 V @ 4 A