1N5806USE3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 150 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 975 MV @ 2.5 A
Produits
10TQ045 · Composants électroniques
- Fabricant
- SMC Diode Solutions
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2 MA @ 45 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 570 MV @ 10 A
JANTXV1N4148UBCA · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 200mA
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 200°C
MBR2060CTF-G1 · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 10A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
PMEG120G20ELRX · Composants électroniques
- Fabricant
- Nexperia USA Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 30 NA @ 120 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 840 MV @ 2 A
BYV28-600-TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.35 V @ 5 A
MBRT40045RL · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 200A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
MBRT60035RL · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 300A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
NTE5967 · Composants électroniques
- Fabricant
- NTE Electronics, Inc
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 MA @ 800 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.7 V @ 57 A
CMPSH-3C · Composants électroniques
- Fabricant
- Central Semiconductor Corp
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 100mA
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 150°C
SDM100K30L-7 · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 20 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 485 MV @ 1 A
MBRT40035RL · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 200A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
MBRB1060-E3/81 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 60 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 800 MV @ 10 A
MBRT60020RL · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 300A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
NTE5841 · Composants électroniques
- Fabricant
- NTE Electronics, Inc
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 500 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.2 V @ 3 A
MBR2060CT-E1 · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 10A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
GL41A-E3/97 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 50 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 1 A
MBRT40020RL · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 200A
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C