Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.GPP10D-E3/54 · Composants électroniquesFabricantVishay General Semiconductor - Diodes DivisionCourant de fuite inverse à Vr5 µA @ 200 VTension directe maximale (Vf) à If1.1 V @ 1 A Demander un devis
CDST-2004S-HF · Composants électroniquesFabricantComchip TechnologyCourant redressé moyen (Io) / diode225mA (DC)Température de jonction en fonctionnement-65°C ~ 150°C Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.HSM221CTL · Composants électroniquesFabricantRenesas Electronics America IncBoîtierVrac Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.NRVBD660CTG · Composants électroniquesFabricantOnsemiCourant redressé moyen (Io) / diode3ATempérature de jonction en fonctionnement-65°C ~ 175°C Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.BAV300-TR · Composants électroniquesFabricantVishay General Semiconductor - Diodes DivisionCourant de fuite inverse à Vr100 NA @ 50 VTension directe maximale (Vf) à If1 V @ 100 MA Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.FEP16DT-33HE3/45 · Composants électroniquesFabricantVishay General Semiconductor - Diodes DivisionCourant redressé moyen (Io) / diode16ATempérature de jonction en fonctionnement-55°C ~ 150°C Demander un devis
BAT46WQ-7-F-52 · Composants électroniquesFabricantDiodes IncorporatedCourant de fuite inverse à Vr2 µA @ 75 VTension directe maximale (Vf) à If450 MV @ 10 MA Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.NRVBD640CTT4G · Composants électroniquesFabricantOnsemiCourant redressé moyen (Io) / diode3ATempérature de jonction en fonctionnement-65°C ~ 175°C Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.HRW0202BTR-E · Composants électroniquesFabricantRenesas Electronics America IncBoîtierVrac Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.BAT54AT-7-G · Composants électroniquesFabricantDiodes IncorporatedCourant redressé moyen (Io) / diode200mATempérature de jonction en fonctionnement-65°C ~ 150°C Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.1N5817 · Composants électroniquesFabricantCentral Semiconductor CorpCourant de fuite inverse à Vr1 MA @ 20 VTension directe maximale (Vf) à If450 MV @ 1 A Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.FEP6DT-5410HE3/45 · Composants électroniquesFabricantVishay General Semiconductor - Diodes DivisionCourant redressé moyen (Io) / diode6ATempérature de jonction en fonctionnement-55°C ~ 150°C Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.BAL99 · Composants électroniquesFabricantNexperia USA Inc.Courant de fuite inverse à Vr1 µA @ 70 VTension directe maximale (Vf) à If1.25 V @ 150 MA Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.BYV32-150801HE3/45 · Composants électroniquesFabricantVishay General Semiconductor - Diodes DivisionCourant redressé moyen (Io) / diode18ATempérature de jonction en fonctionnement-65°C ~ 150°C Demander un devis
V2NL63HM3/I · Composants électroniquesFabricantVishay General Semiconductor - Diodes DivisionCourant de fuite inverse à Vr50 µA @ 60 VTension directe maximale (Vf) à If580 MV @ 2 A Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.BAS40W-04-7-F-79 · Composants électroniquesFabricantDiodes IncorporatedCourant redressé moyen (Io) / diode200mA (DC)Température de jonction en fonctionnement-55°C ~ 125°C Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.IMBD4148-HE3-08 · Composants électroniquesFabricantVishay General Semiconductor - Diodes DivisionCourant de fuite inverse à Vr2.5 µA @ 70 VTension directe maximale (Vf) à If1 V @ 10 MA Demander un devis
Illustration de catégorie générée par IA ; ce n’est pas une photographie du produit.GE2X10MPS06D · Composants électroniquesFabricantGeneSiC SemiconductorCourant redressé moyen (Io) / diode23A (DC)Température de jonction en fonctionnement-55°C ~ 175°C Demander un devis