GI1-1600GP-E3/73 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 1600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 1 A
Produits
V2FM12HM3/I · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 65 µA @ 120 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 960 MV @ 2 A
TLV3701CDBVT · Composants électroniques
- Fabricant
- Texas Instruments
- Type
- Usage général
- Tension d’alimentation simple/double (±)
- 2.5 V ~ 16 V, ±1.25 V ~ 8 V
RFL30TZ6SGC13 · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 650 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.5 V @ 30 A
LM193H · Composants électroniques
- Fabricant
- Texas Instruments
- Courant d’alimentation
- 500 UA
- Courant de polarisation d’entrée
- 100 NA
AR3PD-M3/86A · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.6 V @ 3 A
· Composants électroniques
- Fabricant
- Linear Technology/Analog Devices
- Type
- Usage général
- Tension d’alimentation simple/double (±)
- 1.4 V ~ 18 V
VS-EBU15006-F4 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 8 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.63 V @ 150 A
US1B-M3/61T · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 1 A
TLV3701IDBVT · Composants électroniques
- Fabricant
- Texas Instruments
- Type
- Usage général
- Tension d’alimentation simple/double (±)
- 2.7 V ~ 16 V, ±1.35 V ~ 8 V
RF301BM2SFHTL · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 930 MV @ 3 A
VS-80EBU04 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 50 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 80 A
MBR460MFST1G · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 µA @ 60 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 740 MV @ 4 A
TLV3012AIDBVR · Composants électroniques
- Fabricant
- Texas Instruments
- Tension d’alimentation simple/double (±)
- 1.8 V ~ 5.5 V
- Température de fonctionnement
- -40°C ~ 85°C
US1A-M3/5AT · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 50 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 1 A
VS-65PQ015-N3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 18 MA @ 15 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 500 MV @ 65 A
LMV393M/NOPB · Composants électroniques
- Fabricant
- Texas Instruments
- Type
- Usage général
- Tension d’alimentation simple/double (±)
- 2.7 V ~ 5.5 V
S3MHE3_A/H · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 1000 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.15 V @ 2.5 A