MCP6542-E/P · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de polarisation d’entrée
- 1 PA
- Température minimale de fonctionnement
- - 40 C
Produits
MUR160AH · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.25 V @ 1 A
1SS400CSFHT2RA · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 NA @ 80 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.2 V @ 100 MA
US2AA · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 50 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 1.5 A
RS1BHE3_A/H · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 1 A
NCS2200AMUT1G · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant d’alimentation
- 15 UA
- Courant de polarisation d’entrée
- 10 NA
V2NM153HM3/I · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 20 µA @ 150 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 970 MV @ 2 A
MAX9063EBS+TG45 · Composants électroniques
- Fabricant
- Maxim Integrated
- Courant de polarisation d’entrée
- 15 NA
- Tension d’alimentation maximale
- 5.5 V
· Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.4 V @ 1.5 A
VS-1ENH02HM3/84A · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 920 MV @ 1 A
BAS170WS-E3-18 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 70 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 15 MA
FR3BB-TP · Composants électroniques
- Fabricant
- Micro Commercial Co
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 3 A
SD103AWS-HE3-18 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 30 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 600 MV @ 200 MA
FR3GB-TP · Composants électroniques
- Fabricant
- Micro Commercial Co
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 3 A
HSM2836C-JTR-E · Composants électroniques
- Fabricant
- Renesas Electronics America Inc
- Boîtier
- Vrac
RB168M-60TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1.5 µA @ 60 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 680 MV @ 1 A
LM293DT · Composants électroniques
- Fabricant
- STMicroelectronics
- Courant d’alimentation
- 1 MA
- Courant de polarisation d’entrée
- 250 NA
S1GMH · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 1 A