1N1613R · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 30 A
Produits
1N1125AR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 300 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.2 V @ 30 A
1N1125A · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 300 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.2 V @ 30 A
1N1614A · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 30 A
1N1584 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 300 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 30 A
1N1348BR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 30 A
1N1124 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.2 V @ 30 A
AP4310AUMTR-AG1 · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Conditionnement
- Bobine
1N1124A · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 2.2 V @ 10 A
JANS1N5804US · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 150 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 975 MV @ 2.5 A
1N1615 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 50 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.5 V @ 15 A
1N1615A · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 30 A
1N1583 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 30 A
UES1105SM · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.25 V @ 1 A
- Temps de recouvrement inverse (trr)
- 50 Ns
UES1106SM-1/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.25 V @ 1 A
1N1126A · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 2.2 V @ 10 A
246NQ200-1 · Composants électroniques
- Fabricant
- SMC Diode Solutions
- Courant de fuite inverse à Vr
- 6 MA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.12 V @ 240 A