MAX961ESA+T · Composants électroniques
- Fabricant
- Maxim Integrated
- Courant d’alimentation
- 11 MA
- Température minimale de fonctionnement
- - 40 C
Produits
HER206G · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.7 V @ 2 A
VS-2EYH01-M3/H · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 930 MV @ 2 A
V15PM10-M3/H · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 400 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 750 MV @ 15 A
NSD16F3T5G · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 75 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.25 V @ 150 MA
TLV3011AIDCKR · Composants électroniques
- Fabricant
- Texas Instruments
- Courant d’alimentation
- 5 UA
- Courant de polarisation d’entrée
- 10 PA
SK320AH · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 950 MV @ 3 A
V20KM45-M3/H · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 150 µA @ 45 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 650 MV @ 20 A
FDH400 · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 NA @ 150 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 300 MA
BAT54HYFHT116 · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2 µA @ 25 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 800 MV @ 100 MA
MCP6541UT-I/LT · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de polarisation d’entrée
- 1 PA
- Température minimale de fonctionnement
- - 40 C
ESH2C-M3/52T · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2 µA @ 150 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 930 MV @ 2 A
S8CJHM3/I · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 985 MV @ 8 A
ESH2B-M3/5BT · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 930 MV @ 2 A
SB160-E3/73 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 µA @ 60 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 650 MV @ 1 A
PMEG6010ER-QX · Composants électroniques
- Fabricant
- Nexperia USA Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 60 µA @ 60 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 530 MV @ 1 A
RBLQ3LAM10TFTR · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 30 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 640 MV @ 3 A
LM319AMX/NOPB · Composants électroniques
- Fabricant
- Texas Instruments
- Courant d’alimentation
- 4.3 MA
- Courant de polarisation d’entrée
- 1 UA