BYC10X-600 · Composants électroniques
- Fabricant
- WeEn Semiconductors
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 2.9 V @ 10 A
Produits
PMEG045T030EPDZ · Composants électroniques
- Fabricant
- Nexperia USA Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 44 µA @ 45 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 420 MV @ 3 A
CMR2U-02 · Composants électroniques
- Fabricant
- Central Semiconductor Corp
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 2 A
VS-8TQ060-M3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 550 µA @ 60 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 880 MV @ 16 A
SBR545D1-13 · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 µA @ 45 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 490 MV @ 5 A
RS5K-T · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 800 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 5 A
MBR6200F_T0_00001 · Composants électroniques
- Fabricant
- Panjit International Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 50 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 900 MV @ 6 A
NRVS1DFL · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 1 A
VS-E5TH2106S2L-M3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.68 V @ 20 A
LM2901SNG · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Type de comparateur
- Usage général
- Conditionnement
- Tube
EGL41C-E3/97 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 150 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 1 A
MBR340_AY_00001 · Composants électroniques
- Fabricant
- Panjit International Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 50 µA @ 40 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 700 MV @ 3 A
VS-E5TX1506S2L-M3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 2.1 V @ 15 A
RS3D-13-F · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 3 A
RFN2LAM4STR · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.2 V @ 1.5 A
VS-30ETH06STRL-M3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 50 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 2.6 V @ 30 A
NRVBSS22FA · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 400 µA @ 20 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 500 MV @ 2 A
SK845L-TP · Composants électroniques
- Fabricant
- Micro Commercial Co
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 MA @ 45 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 650 MV @ 8 A