GF1M-E3/5CA · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 1000 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.2 V @ 1 A
Produits
TST30H200CW · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 150 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 920 MV @ 15 A
HER305G-TP · Composants électroniques
- Fabricant
- Micro Commercial Co
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 3 A
AZV393MTR-G1 · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Conditionnement
- Bobine
V4PAL45HM3_A/I · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 450 µA @ 45 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 430 MV @ 2 A
AZV331KSTR-G1 · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Conditionnement
- Bobine
MUR6040B-BP · Composants électroniques
- Fabricant
- Micro Commercial Co
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.7 V @ 60 A
RFN1L7STE25 · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 700 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.5 V @ 800 MA
PSDP15120S1_T0_00001 · Composants électroniques
- Fabricant
- Panjit International Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 1200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 3.5 V @ 15 A
STPS2H100UY · Composants électroniques
- Fabricant
- STMicroelectronics
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 790 MV @ 2 A
AZV393MMTR-G1 · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Conditionnement
- Bobine
RSX051VA-30TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 µA @ 30 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 390 MV @ 500 MA
SKL13B · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 µA @ 30 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 390 MV @ 1 A
1N1188A · Composants électroniques
- Fabricant
- Solid State Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.19 V @ 90 A
SDURD1040 · Composants électroniques
- Fabricant
- SMC Diode Solutions
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.5 V @ 10 A
ES2DH · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 950 MV @ 2 A
RB068VWM150TFTR · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 150 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 960 MV @ 2 A
VS-3C04ET07T-M3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 25 µA @ 650 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.5 V @ 4 A