ES2GFSH · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 2 A
Produits
SDURD1060 · Composants électroniques
- Fabricant
- SMC Diode Solutions
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.66 V @ 10 A
VS-3C16ET07S2L-M3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 85 µA @ 650 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.5 V @ 16 A
AS339AMTR-G1 · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Type de comparateur
- Usage général
- Conditionnement
- Bobine
PMEG3030EP-QX · Composants électroniques
- Fabricant
- Nexperia USA Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 MA @ 30 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 360 MV @ 3 A
ES2DFSH · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 950 MV @ 2 A
AZV331KTR-E1 · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Conditionnement
- Bobine
SIC0860P-BP · Composants électroniques
- Fabricant
- Micro Commercial Co
- Courant de fuite inverse à Vr
- 36 µA @ 650 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.6 V @ 8 A
MCP6548-E/MS · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de polarisation d’entrée
- 1 PA
- Température minimale de fonctionnement
- - 40 C
RBR5LAM60ATR · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 250 µA @ 60 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 550 MV @ 5 A
PCDP0465G1_T0_00001 · Composants électroniques
- Fabricant
- Panjit International Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 40 µA @ 650 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.7 V @ 4 A
MCP6548-E/P · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de polarisation d’entrée
- 1 PA
- Température minimale de fonctionnement
- - 40 C
MPG06MHE3_A/100 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 1000 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 1 A
MPG06JHE3_A/53 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 1 A
WNSC6D166506Q · Composants électroniques
- Fabricant
- WeEn Semiconductors
- Courant de fuite inverse à Vr
- 80 µA @ 650 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.45 V @ 16 A
SS5P4-M3/87A · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 250 µA @ 40 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 520 MV @ 5 A
FFSPF0865A · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 µA @ 650 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.75 V @ 8 A