GP10KE-E3/54 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 800 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.2 V @ 1 A
Produits
B340AF-13 · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 µA @ 40 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 500 MV @ 3 A
MAX9061EUK+T · Composants électroniques
- Fabricant
- Maxim Integrated
- Courant d’alimentation
- 700 NA
- Courant de polarisation d’entrée
- 40 NA
E4D02120E-TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Wolfspeed, Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 50 µA @ 1200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.8 V @ 2 A
GP10BE-E3/54 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 1 A
S3JBHR5G · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.15 V @ 3 A
STTH3002G-TR · Composants électroniques
- Fabricant
- STMicroelectronics
- Courant de fuite inverse à Vr
- 20 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.05 V @ 30 A
GP10-4002E-E3/54 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Technologie
- Standard
- Tension inverse CC maximale (Vr)
- 100 V
NXPSC06650B6J · Composants électroniques
- Fabricant
- WeEn Semiconductors
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 µA @ 650 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.7 V @ 6 A
ES2A-LTP · Composants électroniques
- Fabricant
- Micro Commercial Co
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 50 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 950 MV @ 2 A
VS-E5TH3006S2L-M3 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 20 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.6 V @ 30 A
ER1QG-TP · Composants électroniques
- Fabricant
- Micro Commercial Co
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 1200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.85 V @ 1 A
B140HB-13-F · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 40 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 530 MV @ 1 A
· Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1.4 MA @ 35 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 510 MV @ 8 A
BAS16HYT116 · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 NA @ 80 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.25 V @ 150 MA
· Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 500 MA
V35PW22-M3/I · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 350 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 990 MV @ 35 A
RB162M-60TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 60 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 650 MV @ 1 A