SR202-TP · Composants électroniques
- Fabricant
- Micro Commercial Co
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 MA @ 20 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 550 MV @ 2 A
Produits
FFSM1065B · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 40 µA @ 650 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.7 V @ 10 A
S8JC · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 600 V
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
1N4934G-T · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.2 V @ 1 A
AU1PJHM3/85A · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.5 V @ 1 A
MCP6566UT-E/OT · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Conditionnement
- Bobine
STTH30S06W · Composants électroniques
- Fabricant
- STMicroelectronics
- Courant de fuite inverse à Vr
- 50 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 3.6 V @ 30 A
SS3P3HM3/84A · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 µA @ 30 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 580 MV @ 3 A
US1J-E3/5AT · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.7 V @ 1 A
NXPSC10650B6J · Composants électroniques
- Fabricant
- WeEn Semiconductors
- Courant de fuite inverse à Vr
- 250 µA @ 650 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.7 V @ 10 A
AR1PJHM3/85A · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.25 V @ 1 A
S2GHE3_A/I · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.15 V @ 1.5 A
LSIC2SD065D06A · Composants électroniques
- Fabricant
- Littelfuse Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 50 µA @ 650 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.8 V @ 6 A
AR1PDHM3/84A · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.25 V @ 1 A
CD214A-B320LR · Composants électroniques
- Fabricant
- Bourns Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 MA @ 20 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 420 MV @ 3 A
S1PGHM3/84A · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 1 A
FFSB0865B · Composants électroniques
- Fabricant
- Onsemi
- Courant de fuite inverse à Vr
- 40 µA @ 650 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.7 V @ 8 A
NXPSC066506Q · Composants électroniques
- Fabricant
- WeEn Semiconductors
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 µA @ 650 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.7 V @ 6 A