GS1MAFC_R1_00001 · Composants électroniques
- Fabricant
- Panjit International Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 1000 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.1 V @ 1 A
Produits
MAX984CPE+ · Composants électroniques
- Fabricant
- Maxim Integrated
- Courant d’alimentation
- 6.6 UA
- Tension d’alimentation maximale
- 11 V
S10BL-TP · Composants électroniques
- Fabricant
- Micro Commercial Co
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 100 V
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
SDURD520 · Composants électroniques
- Fabricant
- SMC Diode Solutions
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 975 MV @ 5 A
UF1010G_R2_00001 · Composants électroniques
- Fabricant
- Panjit International Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 1000 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.7 V @ 1 A
RB068M-40TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 550 NA @ 40 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 725 MV @ 2 A
SS2P6HM3/84A · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 100 µA @ 60 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 700 MV @ 2 A
SS13L_R1_00001 · Composants électroniques
- Fabricant
- Panjit International Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 200 µA @ 30 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 420 MV @ 1 A
HS3K · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 800 V
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
BYM07-400-E3/98 · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.35 V @ 500 MA
VS-2EYH02-M3/H · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 2 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 930 MV @ 2 A
HS3D · Composants électroniques
- Fabricant
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 200 V
- Température de jonction en fonctionnement
- -55°C ~ 150°C
RB521S30FN2_R1_00001 · Composants électroniques
- Fabricant
- Panjit International Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 30 µA @ 30 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 510 MV @ 200 MA
ER3J-TP · Composants électroniques
- Fabricant
- Micro Commercial Co
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.7 V @ 3 A
SBR5E60P5-7D · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant de fuite inverse à Vr
- 220 µA @ 60 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 520 MV @ 5 A
RB411D_R1_00001 · Composants électroniques
- Fabricant
- Panjit International Inc.
- Courant de fuite inverse à Vr
- 30 µA @ 10 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 500 MV @ 500 MA
VS-1EQH02HM3/H · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 970 MV @ 1 A
SBR5E45P5-7D · Composants électroniques
- Fabricant
- Diodes Incorporated
- Courant de fuite inverse à Vr
- 280 µA @ 45 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 600 MV @ 5 A