1N3890R · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 25 µA @ 50 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.5 V @ 20 A
Produits
1N3880R · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 15 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.4 V @ 20 A
JANS1N5616US/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 200°C
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.3 V @ 3 A
VS-240UR100D · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 15 MA @ 1000 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.33 V @ 750 A
1N3890A · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.5 V @ 38 A
1N3891AR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.5 V @ 38 A
MURH7020 · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 25 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 70 A
VS-240UR60D · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 15 MA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.33 V @ 750 A
UES1304SM · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.25 V @ 3 A
- Temps de recouvrement inverse (trr)
- 50 Ns
VS-SD400C04C · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 15 MA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.86 V @ 1930 A
MCP6494T-E/SL · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Arrêt
- Sans fonction d’arrêt
- Conditionnement
- Bobine
1N3890 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 100 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.5 V @ 38 A
MURH7020R · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 25 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1 V @ 70 A
JANTX1N6081/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 150 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.5 V @ 37.7 A
VS-SD300C04C · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 15 MA @ 400 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 2.08 V @ 1500 A
1N3881 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 15 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.4 V @ 20 A
JANS1N5615/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 500 NA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.6 V @ 3 A