JANS1N5420US · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 175°C
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.5 V @ 9 A
Produits
JANS1N5418US · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 µA @ 150 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.5 V @ 9 A
JAN1N5822US · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 150°C
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 500 MV @ 3 A
SD24145C · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1.5 MA @ 45 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 700 MV @ 30 A
JANS1N6642UBD/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant redressé moyen (Io) / diode
- 300mA
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 175°C
MBRH200150R · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 MA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 920 MV @ 200 A
VS-SD1100C08C · Composants électroniques
- Fabricant
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Courant de fuite inverse à Vr
- 35 MA @ 800 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.31 V @ 1500 A
MBRH200200R · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 MA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 920 MV @ 200 A
MBRH200150 · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1 MA @ 150 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 880 MV @ 200 A
MBRH20060R · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 MA @ 20 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 750 MV @ 200 A
JANS1N5415US · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 175°C
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.5 V @ 9 A
MBRH20080R · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 MA @ 20 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 840 MV @ 200 A
SD41 · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 1.5 MA @ 35 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 680 MV @ 30 A
MBRH20060 · Composants électroniques
- Fabricant
- GeneSiC Semiconductor
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 MA @ 20 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 750 MV @ 200 A
JANTX1N1190R · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 10 µA @ 600 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 1.4 V @ 110 A
JANTX1N1202A · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Courant de fuite inverse à Vr
- 5 µA @ 200 V
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 2.3 V @ 240 A
JAN1N5822US/TR · Composants électroniques
- Fabricant
- Microchip Technology
- Température de jonction en fonctionnement
- -65°C ~ 150°C
- Tension directe maximale (Vf) à If
- 500 MV @ 3 A