Diodos y transistores
LS830 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Temperatura de funcionamiento
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Potencia máxima
- 500 MW
U404 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Temperatura de funcionamiento
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Potencia máxima
- 300 MW
LSK189 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 300 MW
2N4392 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Tipo de FET
- Canal N
- Temperatura de funcionamiento
- -55°C ~ 200°C (TJ)
SST402 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Temperatura de funcionamiento
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Potencia máxima
- 300 MW
UJ3N065025K3S · Diodos y transistores
- Fabricante
- Qorvo
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 441 W
LSK489A · Diodos y transistores
- Fabricante
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Potencia máxima
- 500 MW
- Temperatura de funcionamiento
- -55°C ~ 150°C (TJ)
SST4118 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 300 MW
U421 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Potencia máxima
- 500 MW
- Temperatura de funcionamiento
- -55°C ~ 150°C (TJ)
LS5911 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Potencia máxima
- 500 MW
- Temperatura de funcionamiento
- -55°C ~ 150°C (TJ)
LS844 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Potencia máxima
- 400 MW
- Temperatura de funcionamiento
- -55°C ~ 150°C (TJ)
LS844 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Potencia máxima
- 400 MW
- Temperatura de funcionamiento
- -55°C ~ 150°C (TJ)
LS320 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Tipo de FET
- Canal P
- Potencia máxima
- 200 MW
LSJ74C · Diodos y transistores
- Fabricante
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Tipo de FET
- Canal P
- Temperatura de funcionamiento
- -55°C ~ 135°C (TJ)
2N5114 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Tipo de FET
- Canal P
- Potencia máxima
- 500 MW