2N4118A-E3 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Vishay Siliconix
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 300 MW
Diodos y transistores
2N4860 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Solid State Inc.
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 300 MW
J175_D74Z · Diodos y transistores
- Fabricante
- Onsemi
- Tipo de FET
- Canal P
- Temperatura de funcionamiento
- -55°C ~ 150°C (TJ)
MMBF5462 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Onsemi
- Tipo de FET
- Canal P
- Potencia máxima
- 225 MW
2N4117A-2 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Vishay Siliconix
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 300 MW
JFE150DBVT · Diodos y transistores
- Fabricante
- Texas Instruments
- Tipo de FET
- Canal N
- Temperatura de funcionamiento
- -55°C ~ 150°C (TJ)
J174 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Onsemi
- Tipo de FET
- Canal P
- Temperatura de funcionamiento
- -55°C ~ 150°C (TJ)
PMBFJ113 · Diodos y transistores
- Fabricante
- NXP USA Inc.
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 300 MW
MMBFJ305 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Onsemi
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 225 MW
MQ2N2608UB · Diodos y transistores
- Fabricante
- Microchip Technology
- Tipo de FET
- Canal P
- Potencia máxima
- 300 MW
MMBFJ203 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Onsemi
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 350 MW
MMBFJ177 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Onsemi
- Tipo de FET
- Canal P
- Temperatura de funcionamiento
- -55°C ~ 150°C (TJ)
MMBF4119 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Onsemi
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 225 MW
2N4858U · Diodos y transistores
- Fabricante
- Microchip Technology
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 360 MW
J202_D26Z · Diodos y transistores
- Fabricante
- Onsemi
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 625 MW
TF208TH-5-TL-H · Diodos y transistores
- Fabricante
- Onsemi
- Tipo de FET
- Canal N
- Temperatura de funcionamiento
- 150°C (TJ)
2SK3372GTL · Diodos y transistores
- Fabricante
- Panasonic Electronic Components
- Tipo de FET
- Canal N
- Temperatura de funcionamiento
- -20°C ~ 80°C (TA)
MV2N5116UB/TR · Diodos y transistores
- Fabricante
- Microchip Technology
- Tipo de FET
- Canal P
- Potencia máxima
- 500 MW