LSK489B · Diodos y transistores
- Fabricante
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Potencia máxima
- 500 MW
- Temperatura de funcionamiento
- -55°C ~ 150°C (TJ)
Diodos y transistores
LSK489 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Potencia máxima
- 500 MW
- Temperatura de funcionamiento
- -55°C ~ 150°C (TJ)
LS844 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Temperatura de funcionamiento
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Potencia máxima
- 400 MW
LSK589 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Potencia máxima
- 500 MW
- Temperatura de funcionamiento
- -55°C ~ 150°C (TJ)
SST401 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Temperatura de funcionamiento
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Potencia máxima
- 300 MW
J202 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 350 MW
J211 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 360 MW
PN4118 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 300 MW
SST175 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Tipo de FET
- Canal P
- Potencia máxima
- 350 MW
LS846 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 300 MW
· Diodos y transistores
- Fabricante
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Tipo de FET
- Canal P
- Potencia máxima
- 350 MW
LSK170D · Diodos y transistores
- Fabricante
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 400 MW
LSBF510 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Tipo de FET
- Canal N
- Temperatura de funcionamiento
- -55°C ~ 150°C (TJ)
SST4119 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 300 MW
SST4392 · Diodos y transistores
- Fabricante
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 350 MW
LS26VNS · Diodos y transistores
- Fabricante
- Linear Integrated Systems, Inc.
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 350 MW
J110 · Diodos y transistores
- Fabricante
- NXP USA Inc.
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 400 MW
J109 · Diodos y transistores
- Fabricante
- NXP USA Inc.
- Tipo de FET
- Canal N
- Potencia máxima
- 400 MW