MIL-PRF-19500/477 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Microchip Technology
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 150 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 875 MV @ 4 A
Componentes electrónicos
UES1304E3/TR · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Microchip Technology
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.25 V @ 3 A
MIL-PRF-19500/477 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Microchip Technology
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 50 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 875 MV @ 4 A
JANTXV1N6628U/TR · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Microchip Technology
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 2 µA @ 660 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.35 V @ 2 A
MIL-PRF-19500/477 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Microchip Technology
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 875 MV @ 4 A
VS-T40HFL60S02 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 µA @ 600 V
- Tiempo de recuperación inversa (trr)
- 200 Ns
1N4150UBD · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Microchip Technology
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 200mA
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 175°C
TLC2252TDA2 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Texas Instruments
- Apagado
- Sin función de apagado
- Embalaje
- Tubo
1N4150UBD/TR · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Microchip Technology
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 200mA
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 175°C
UES1306E3/TR · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Microchip Technology
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 20 µA @ 400 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.25 V @ 3 A
UES1306/TR · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Microchip Technology
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 20 µA @ 400 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.25 V @ 3 A
1N4150UBCA · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Microchip Technology
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 200mA
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 175°C
JANTX1N649-1 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Microchip Technology
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 50 NA @ 600 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1 V @ 400 MA
JANTXV1N5807URS · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Microchip Technology
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 50 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 875 MV @ 4 A
JANTXV1N5811URS · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Microchip Technology
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 150 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 875 MV @ 4 A
JANTXV1N5809URS · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Microchip Technology
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 875 MV @ 4 A
JANTXV1N6628U · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Microsemi Corporation
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 2 µA @ 600 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.35 V @ 2 A
JANS1N6638US/TR · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Microchip Technology
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 175°C
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.1 V @ 200 MA