Componentes electrónicos
MBRH200200R · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 MA @ 200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 920 MV @ 200 A
MBRH200150 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 MA @ 150 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 880 MV @ 200 A
MBRH20060R · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 MA @ 20 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 750 MV @ 200 A
JANS1N5415US · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Microchip Technology
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 175°C
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.5 V @ 9 A
MBRH20080R · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 MA @ 20 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 840 MV @ 200 A
SD41 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Microchip Technology
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1.5 MA @ 35 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 680 MV @ 30 A
MBRH20060 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 MA @ 20 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 750 MV @ 200 A
JANTX1N1190R · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Microchip Technology
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 µA @ 600 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.4 V @ 110 A
JANTX1N1202A · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Microchip Technology
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 2.3 V @ 240 A
JAN1N5822US/TR · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Microchip Technology
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 150°C
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 500 MV @ 3 A
MBRH20040R · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 MA @ 20 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 650 MV @ 200 A
MBRH200200 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 MA @ 200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 920 MV @ 200 A
S-89430ACMC-HBUT2U · Componentes electrónicos
- Fabricante
- SII Semiconductor
- Embalaje
- Bobina
UES1302HR2 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Microchip Technology
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 925 MV @ 6 A
MBRH200100R · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 MA @ 20 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 840 MV @ 200 A
UFR3140R · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Microchip Technology
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 15 µA @ 400 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.25 V @ 30 A
MBRH20080 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 MA @ 20 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 840 MV @ 200 A