NSVBAV99WT3G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 215mA
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 150°C
Componentes electrónicos
BAW27-TAP · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 NA @ 60 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.25 V @ 400 MA
BAT54SWQ-7-F · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 200mA (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 125°C
BAV19W · Componentes electrónicos
- Fabricante
- SMC Diode Solutions
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 NA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1 V @ 100 MA
BAT54S-HE3-08 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 2 µA @ 25 V
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 125°C (Max)
1SS387 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 500 NA @ 80 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.2 V @ 100 MA
MMBD717LT1G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 370 MV @ 1 MA
BAV16W-7-F · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 µA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.25 V @ 150 MA
BAT54SFILM · Componentes electrónicos
- Fabricante
- STMicroelectronics
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 300mA (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -40°C ~ 150°C
1N914BWS · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 75 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1 V @ 100 MA
BAV23C-7-F · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 400mA (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 150°C
BAS321 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Nexperia USA Inc.
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 NA @ 200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.25 V @ 200 MA
BAT54S-E3-08 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 200mA (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 125°C (Max)
1N4006G-T · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 800 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1 V @ 1 A
BAV199E6433HTMA1 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Infineon Technologies
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 200mA (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C (Max)
BAS21AHT1G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 40 NA @ 200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.25 V @ 200 MA
BAT54C-E3-08 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 200mA (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 125°C (Max)
RB751S40_R1_00001 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Panjit International Inc.
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 500 NA @ 30 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 370 MV @ 1 MA