BAV199HMFHT116 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Rohm Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 215mA (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C (Max)
Componentes electrónicos
SS1FL3-M3/H · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 200 µA @ 30 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 480 MV @ 1 A
BAV70-G3-18 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 250mA (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C (Max)
RS1MFSHMWG · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 1000 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.3 V @ 1 A
MMBD4448HTA-TP · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Micro Commercial Co
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 250mA
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C (Max)
SS16LWHRVG · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 µA @ 60 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 700 MV @ 1 A
BAS70SW-AU_R1_000A1 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Panjit International Inc.
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 200mA
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
1N4006FFG · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 µA @ 800 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.1 V @ 1 A
BAV199HMT116 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Rohm Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 215mA (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C (Max)
RS07G-M-08 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 µA @ 400 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.15 V @ 700 MA
BAS40S-AU_R1_000A1 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Panjit International Inc.
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 200mA
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
RB055LAM-40TR · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Rohm Semiconductor
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 µA @ 40 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 620 MV @ 3 A
BAS21A-AU_R1_000A1 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Panjit International Inc.
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 200mA
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C
CUHS15S30 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 500 µA @ 30 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 430 MV @ 1.5 A
BAS40-06Q-7-F · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 200mA (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 125°C
BAV99HMFHT116 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Rohm Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 215mA (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C (Max)
V2PM10LHM3/H · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 µA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 550 MV @ 1 A
BAT54A-QR · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Nexperia USA Inc.
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 200mA (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C