TSSE3U60 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 MA @ 60 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 580 MV @ 3 A
Componentes electrónicos
DST560S-A · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Littelfuse Inc.
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 700 µA @ 60 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 750 MV @ 5 A
BAT54TWP_R1_00001 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Panjit International Inc.
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 200mA (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 125°C
DGP15-E3/54 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 1500 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.1 V @ 1 A
BAS70DW-05Q-7-F · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 70mA (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 125°C
SGL41-30-E3/96 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 500 µA @ 30 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 500 MV @ 1 A
BAS21AVD · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Nexperia USA Inc.
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 200mA (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C (Max)
U3D-E3/57T · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 µA @ 200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 900 MV @ 3 A
BAS7005E6433HTMA1 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Infineon Technologies
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 70mA (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C (Max)
BYV27-150-TR · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 µA @ 165 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.07 V @ 3 A
BAS70-07WH6327 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Infineon Technologies
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 70mA (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C
BYT52M-TR · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 1000 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.3 V @ 1 A
BAV199UMFHTL · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Rohm Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 215mA (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C
BYW36-TR · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 600 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.1 V @ 1 A
HSU227TRF-E · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Renesas Electronics America Inc
- Encapsulado / carcasa
- A granel
RB050L-40DDTE25 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Rohm Semiconductor
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 MA @ 40 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 550 MV @ 3 A
HSU119TRF-E · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Renesas Electronics America Inc
- Encapsulado / carcasa
- A granel
BYT54M-TAP · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 1000 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.5 V @ 1 A