TSUP10M45SH · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 200 µA @ 45 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 600 MV @ 10 A
Componentes electrónicos
MBRD2045CT · Componentes electrónicos
- Fabricante
- SMC Diode Solutions
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 840 MV @ 10 A
RBLQ20BGE10TL · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Rohm Semiconductor
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 80 µA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 860 MV @ 20 A
CMXD6001 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Central Semiconductor Corp
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 250mA
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 150°C
V8PL63HM3/I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 180 µA @ 60 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 580 MV @ 8 A
VS-6CVH01-M3/I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 3A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 175°C
VS-30WQ04FN-M3 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 2 MA @ 40 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 530 MV @ 3 A
RB731XNTR · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Rohm Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 30mA
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 125°C (Max)
SE12DTLG-M3/I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 400 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1 V @ 12 A
RB552EATR · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Rohm Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 500mA
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C
SE12DTG-M3/I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 20 µA @ 400 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.15 V @ 12 A
NRVB1240MFST1G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 500 µA @ 40 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 680 MV @ 12 A
V8KM60DUHM3/I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 8A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -40°C ~ 175°C
SE10DLJHM3/I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 600 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1 V @ 10 A
V6KL45DUHM3/I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 6A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -40°C ~ 150°C
MBR15U45HE3-TP · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Micro Commercial Co
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 µA @ 45 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 750 MV @ 15 A
MBRD660CT · Componentes electrónicos
- Fabricante
- SMC Diode Solutions
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 700 MV @ 3 A
SE10DTJHM3/I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 15 µA @ 600 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.15 V @ 10 A