M1MA142WKT1G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 100mA (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C (Max)
Componentes electrónicos
MBR120ESFT3G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 µA @ 20 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 530 MV @ 1 A
MMBD2004S-7-F · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 225mA (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 150°C
MBRS130T3G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 MA @ 30 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 600 MV @ 1 A
PMBD7100 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Nexperia USA Inc.
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 215mA (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C (Max)
NRVUS110VT3G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 2 µA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 875 MV @ 1 A
1SS392 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 100mA
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 125°C (Max)
MURS210T3G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 2 µA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 940 MV @ 2 A
GSXD160A010S1-D3 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- SemiQ
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 160A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -40°C ~ 150°C
MBRA160T3G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 200 µA @ 60 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 510 MV @ 1 A
HN1D03FU · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 80mA
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 125°C (Max)
SS26T3G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 200 µA @ 60 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 630 MV @ 2 A
VS-VSKD236/16PBF · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 115A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -40°C ~ 150°C
MBRA140T3G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 500 µA @ 40 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 550 MV @ 1 A
BAV99RWT1G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 215mA (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 150°C
MBRS120T3G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 MA @ 20 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 600 MV @ 1 A
SBR3A40SAQ-13 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 400 µA @ 40 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 480 MV @ 3 A
STTH9012TV1 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- STMicroelectronics
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 45A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C (Max)