MBR1560CT · Componentes electrónicos
- Fabricante
- SMC Diode Solutions
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 800 MV @ 15 A
Componentes electrónicos
NRVB5100MFST1G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 µA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 980 MV @ 5 A
SBR20100CT · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 10A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 175°C
B1100B-13-F · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 500 µA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 790 MV @ 1 A
MBRB1560CT-E3/81 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 7.5A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 150°C
MBRM1H100T3G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 20 µA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 760 MV @ 1 A
SDUR2030CT · Componentes electrónicos
- Fabricante
- SMC Diode Solutions
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.3 V @ 10 A
MURS320 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- SMC Diode Solutions
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 900 MV @ 3 A
SBRF20100CT · Componentes electrónicos
- Fabricante
- SMC Diode Solutions
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 940 MV @ 10 A
NRVB560MFST1G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 150 µA @ 60 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 780 MV @ 5 A
RF1601NS2DFHTL · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Rohm Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 16A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C (Max)
SS16HE · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 50 µA @ 60 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 680 MV @ 1 A
RB218NS-60FHTL · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Rohm Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 20A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C (Max)
SS8PH10-M3/87A · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 2 µA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 900 MV @ 8 A
MBRF20150CTL · Componentes electrónicos
- Fabricante
- SMC Diode Solutions
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 950 MV @ 10 A
SBR1A20T5-7 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 200 µA @ 20 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 520 MV @ 1 A
VS-10CDU06HM3/I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 5A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 175°C
SS22L · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 400 µA @ 20 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 500 MV @ 2 A