HSM126S-JTR-E · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Renesas Electronics America Inc
- Encapsulado / carcasa
- A granel
Componentes electrónicos
CD214B-FS3K · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Bourns Inc.
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 800 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 2.2 V @ 3 A
STPS30170CG-TR · Componentes electrónicos
- Fabricante
- STMicroelectronics
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 15A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 175°C (Max)
BAS316-TP · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Micro Commercial Co
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 µA @ 75 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.25 V @ 150 MA
S16DSD2 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diotec Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 8A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -50°C ~ 150°C
SBR100-10JS-CHC11 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Encapsulado / carcasa
- A granel
BAV99/8 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- NXP USA Inc.
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 215mA (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C (Max)
1SS120-92TD-E · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Renesas Electronics America Inc
- Encapsulado / carcasa
- A granel
MBRB10200CT · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 5A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 175°C
1N4150TR · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 NA @ 50 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1 V @ 200 MA
VS-MBRB20100CTR-M3 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 10A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 150°C
1SS120-90RX-E · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Renesas Electronics America Inc
- Encapsulado / carcasa
- A granel
G20H100CTW · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 20A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 175°C
1SS427 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 500 NA @ 80 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.2 V @ 100 MA
SBR2045CT-G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 10A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 150°C
NRVBA210LNT3G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 700 µA @ 10 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 350 MV @ 2 A
MBR2090CTLFAJ · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Encapsulado / carcasa
- A granel
RB530SM-30T2R · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Rohm Semiconductor
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 500 NA @ 10 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 450 MV @ 10 MA