GSD2004S-HE3-18 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 225mA
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C (Max)
Componentes electrónicos
BAT85 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Nexperia USA Inc.
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 2 µA @ 25 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 800 MV @ 100 MA
BAS40CDW_R1_00001 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Panjit International Inc.
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 200mA (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 125°C
GSD2004C-HE3-18 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 225mA
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C (Max)
1N4454UR/TR · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Microchip Technology
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 NA @ 50 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1 V @ 10 MA
BAS70-04Q-13-F · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 70mA (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 125°C
B0540WHE3-TP · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Micro Commercial Co
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 80 µA @ 40 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 550 MV @ 500 MA
GSD2004A-HE3-18 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 225mA
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C (Max)
CUS10S40 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Toshiba Semiconductor And Storage
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 150 µA @ 40 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 400 MV @ 500 MA
BAV99HDW-13 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 200mA (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 150°C
VS-EPU3006LHN3 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 30 µA @ 600 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 2 V @ 30 A
IDK08G65C5XTMA2 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Infineon Technologies
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 175°C
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.8 V @ 8 A
BAV70W-7-F-52 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 300mA
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 150°C
BAW56-G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Comchip Technology
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 215mA (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
BAS85 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Nexperia USA Inc.
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 2.3 µA @ 25 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 800 MV @ 100 MA
BAW56TB_R1_00001 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Panjit International Inc.
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 150mA
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
SDT05S60XK · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Infineon Technologies
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 200 µA @ 600 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.7 V @ 5 A
GSD2004A-E3-18 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 225mA
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C (Max)