SL02-M-18 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 250 µA @ 20 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 420 MV @ 1.1 A
Componentes electrónicos
MBR30L120CTH · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 30A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
ESH2D-M3/52T · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 2 µA @ 200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 930 MV @ 2 A
VS-30CTQ040STRRHM3 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 15A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 175°C
SS26H · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 400 µA @ 60 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 700 MV @ 2 A
ESH2C-M3/5BT · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 2 µA @ 150 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 930 MV @ 2 A
MBRF25150CTH · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 25A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
MBRF30150CTH · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 30A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
V3N103-M3/I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 200 µA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 660 MV @ 3 A
MBRF30200CTH · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 30A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
UH1CHE3_A/H · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 µA @ 150 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.05 V @ 1 A
TSF30H120C · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 15A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
SK110BH · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 µA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 850 MV @ 1 A
MBRB20100CTG · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 10A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 175°C
SK34BH · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 500 µA @ 40 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 500 MV @ 3 A
TSD30H150CW · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Tipo de montaje
- Montaje superficial
- Encapsulado del fabricante
- –-263AB (D²PAK)
VSSA210HM3_A/I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 150 µA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 700 MV @ 2 A
VS-12CWQ10FNTRHM3 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 6A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C (Max)