Ilustración de categoría generada por IA; no es una fotografía del producto.CMR3-02 · Componentes electrónicosFabricanteCentral Semiconductor CorpCorriente de fuga inversa a Vr5 µA @ 200 VTensión directa máxima (Vf) a If1.2 V @ 3 A Solicitar cotización
Ilustración de categoría generada por IA; no es una fotografía del producto.MBRT120100R · Componentes electrónicosFabricanteGeneSiC SemiconductorCorriente rectificada media (Io) / diodo60ATemperatura de funcionamiento de la unión-55°C ~ 150°C Solicitar cotización
Ilustración de categoría generada por IA; no es una fotografía del producto.BAT54WS-E3-18 · Componentes electrónicosFabricanteVishay General Semiconductor - Diodes DivisionCorriente de fuga inversa a Vr2 µA @ 25 VTensión directa máxima (Vf) a If800 MV @ 100 MA Solicitar cotización
· Componentes electrónicosFabricantePhoenix ContactCorriente rectificada media (Io) / diodo300mATemperatura de funcionamiento de la unión-20°C ~ 50°C Solicitar cotización
SBRT05U20LPSQ-7B · Componentes electrónicosFabricanteDiodes IncorporatedCorriente de fuga inversa a Vr50 µA @ 20 VTensión directa máxima (Vf) a If390 MV @ 500 MA Solicitar cotización
Ilustración de categoría generada por IA; no es una fotografía del producto.MBR40045CT · Componentes electrónicosFabricanteGeneSiC SemiconductorCorriente rectificada media (Io) / diodo200ATemperatura de funcionamiento de la unión-55°C ~ 150°C Solicitar cotización
Ilustración de categoría generada por IA; no es una fotografía del producto.ED306S_L2_00001 · Componentes electrónicosFabricantePanjit International Inc.Corriente de fuga inversa a Vr1 µA @ 600 VTensión directa máxima (Vf) a If1.7 V @ 3 A Solicitar cotización
FST16045 · Componentes electrónicosFabricanteGeneSiC SemiconductorCorriente rectificada media (Io) / diodo160A (DC)Temperatura de funcionamiento de la unión-55°C ~ 150°C Solicitar cotización
S1GM · Componentes electrónicosFabricanteTaiwan Semiconductor CorporationCorriente de fuga inversa a Vr1 µA @ 400 VTensión directa máxima (Vf) a If1.1 V @ 1 A Solicitar cotización
Ilustración de categoría generada por IA; no es una fotografía del producto.MBR400200CTR · Componentes electrónicosFabricanteGeneSiC SemiconductorCorriente rectificada media (Io) / diodo200ATemperatura de funcionamiento de la unión-55°C ~ 150°C Solicitar cotización
SB630_T0_00001 · Componentes electrónicosFabricantePanjit International Inc.Corriente de fuga inversa a Vr200 µA @ 30 VTensión directa máxima (Vf) a If550 MV @ 6 A Solicitar cotización
Ilustración de categoría generada por IA; no es una fotografía del producto.MSRTA6001R · Componentes electrónicosFabricanteGeneSiC SemiconductorCorriente rectificada media (Io) / diodo600A (DC)Temperatura de funcionamiento de la unión-55°C ~ 150°C Solicitar cotización
Ilustración de categoría generada por IA; no es una fotografía del producto.BAT85S-TR · Componentes electrónicosFabricanteVishay General Semiconductor - Diodes DivisionCorriente de fuga inversa a Vr2 µA @ 25 VTensión directa máxima (Vf) a If800 MV @ 100 MA Solicitar cotización
Ilustración de categoría generada por IA; no es una fotografía del producto.MSRTA6001 · Componentes electrónicosFabricanteGeneSiC SemiconductorCorriente rectificada media (Io) / diodo600A (DC)Temperatura de funcionamiento de la unión-55°C ~ 150°C Solicitar cotización
ES3F · Componentes electrónicosFabricanteTaiwan Semiconductor CorporationCorriente de fuga inversa a Vr10 µA @ 300 VTemperatura de funcionamiento de la unión-55°C ~ 150°C Solicitar cotización
FST160100 · Componentes electrónicosFabricanteGeneSiC SemiconductorCorriente rectificada media (Io) / diodo160A (DC)Temperatura de funcionamiento de la unión-55°C ~ 150°C Solicitar cotización
Ilustración de categoría generada por IA; no es una fotografía del producto.RGP15K-E3/54 · Componentes electrónicosFabricanteVishay General Semiconductor - Diodes DivisionCorriente de fuga inversa a Vr5 µA @ 800 VTensión directa máxima (Vf) a If1.3 V @ 1.5 A Solicitar cotización
Ilustración de categoría generada por IA; no es una fotografía del producto.MBRT20080R · Componentes electrónicosFabricanteGeneSiC SemiconductorCorriente rectificada media (Io) / diodo100ATemperatura de funcionamiento de la unión-55°C ~ 150°C Solicitar cotización