MBR30030CT · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 150A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
Componentes electrónicos
RB530SM-40T2R · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Rohm Semiconductor
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 15 µA @ 40 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 710 MV @ 100 MA
MSRTA300100AD · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 300A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
HS1KL · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 800 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.7 V @ 1 A
MBRT30060R · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 150A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
SD103BWS-HG3-18 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 20 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 600 MV @ 200 MA
F1827CAD1200 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Sensata-Crydom
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 25A (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -40°C ~ 125°C
SS33HE3_B/H · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 500 µA @ 30 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 500 MV @ 3 A
MURT10060 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 50A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
SS5P3HM3_A/I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 250 µA @ 30 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 520 MV @ 5 A
F1827RD600 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Sensata-Crydom
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 25A (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -40°C ~ 125°C
S1GLWH · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 µA @ 400 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.1 V @ 1 A
VSSAF512-M3/H · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 400 µA @ 120 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 880 MV @ 5 A
MBR600150CT · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 300A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
SL56BFL-TP · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Micro Commercial Co
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 500 µA @ 60 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 500 MV @ 5 A
MBRT30020R · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 150A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
SB360-T · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 500 µA @ 60 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 740 MV @ 3 A
MBR20030CT · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 200A (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C