SE30PAJHM3/I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 600 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.16 V @ 3 A
Componentes electrónicos
JANTXV1N5712UBCA/TR · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Microchip Technology
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 75mA
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -65°C ~ 150°C
SB120 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 500 µA @ 20 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 500 MV @ 1 A
MURT30010R · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 150A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
BYT54B-TR · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.5 V @ 1 A
RBR1LAM60ATFTR · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Rohm Semiconductor
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 75 µA @ 60 V
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C (Max)
MBRT60035R · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 300A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
ESH2PC-M3/84A · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 µA @ 150 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 980 MV @ 2 A
F1892CAD1200 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Sensata-Crydom
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 90A (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -40°C ~ 125°C
BY527TR · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 µA @ 800 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.65 V @ 10 A
MURTA400120 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 200A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
NSVBAS70LT1G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 10 µA @ 70 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1 V @ 15 MA
F1857RD1600 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Sensata-Crydom
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 55A (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -40°C ~ 125°C
BYT54B-TAP · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.5 V @ 1 A
MBRT40030R · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 200A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
SDMG0340L-7-F · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 µA @ 10 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 370 MV @ 1 MA
F18107RD1600 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Sensata-Crydom
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 105A (DC)
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.65 V @ 300 A
BY527TAP · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 µA @ 800 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.65 V @ 10 A