SS8PH9HM3_A/I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 2 µA @ 90 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 900 MV @ 8 A
Componentes electrónicos
RBS2LAM40ATR · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Rohm Semiconductor
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 400 µA @ 20 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 480 MV @ 2 A
MURTA500120R · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 250A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
UH3BHE3_A/I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.05 V @ 3 A
VS-VSKC320-16PBF · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 40A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -40°C ~ 150°C
MURTA300120 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 150A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
SBRT3M60P1-7 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diodes Incorporated
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 µA @ 60 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 590 MV @ 3 A
MURT40020R · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 200A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
SS22L · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 400 µA @ 20 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 500 MV @ 2 A
MURTA50060R · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 250A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
RS1JFS · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 600 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.3 V @ 1 A
VS-VSKC270-12PBF · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 135A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -40°C ~ 150°C
SS26L · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 400 µA @ 60 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 700 MV @ 2 A
V3P6LHM3/H · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 900 µA @ 60 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 450 MV @ 1.5 A
MURTA20060 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 100A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
SSL23 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 400 µA @ 30 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 410 MV @ 2 A
MURT40040 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- GeneSiC Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 200A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
V2FM10HM3/H · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 55 µA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 830 MV @ 2 A