MBR10200CDS · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 10A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 175°C
Componentes electrónicos
HS2GFS · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 µA @ 400 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.3 V @ 2 A
1S953-T4 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Renesas Electronics America Inc
- Encapsulado / carcasa
- A granel
SK86C · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 500 µA @ 60 V
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
BAT54A · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diotec Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 200mA
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
ES1PDHM3/85A · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 920 MV @ 1 A
BAS70-05 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diotec Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 70mA
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
SDB2080 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- SMC Diode Solutions
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 100 µA @ 800 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.1 V @ 20 A
BAT54SW · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diotec Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 200mA
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
NSR05T404MX2T5G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Onsemi
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 85 µA @ 40 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 630 MV @ 500 MA
BAS70-04W-AQ · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diotec Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 70mA
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 150°C
V8P12HM3_A/H · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 300 µA @ 120 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 840 MV @ 8 A
BAT74V115 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- NXP USA Inc.
- Encapsulado / carcasa
- A granel
SB20150 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- SMC Diode Solutions
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 MA @ 150 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.05 V @ 20 A
BAS70-06E6433 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Infineon Technologies
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 70mA (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- 150°C
VS-2EYH02HM3/I · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 2 µA @ 200 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 930 MV @ 2 A
SDM0520S · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diotec Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 500mA
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 125°C
· Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 µA @ 400 V
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 175°C