G3S12030B · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Global Power Technology-GPT
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 42A (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 175°C
Componentes electrónicos
S2JFS · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 µA @ 600 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.1 V @ 2 A
SK2050CD2 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diotec Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 10A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -50°C ~ 150°C
RB450FT106 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Rohm Semiconductor
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 µA @ 10 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 450 MV @ 10 MA
G3S06508B · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Global Power Technology-GPT
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 14A (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 175°C
SD840YS_S2_00001 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Panjit International Inc.
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 200 µA @ 40 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 550 MV @ 8 A
S16DSD2 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diotec Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 8A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -50°C ~ 150°C
BD890YS_S2_00001 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Panjit International Inc.
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 50 µA @ 90 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 800 MV @ 8 A
DBA200WA60 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- SanRex Corporation
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 100A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -40°C ~ 150°C
GF1B-E3/5CA · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 5 µA @ 100 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 1.1 V @ 1 A
S16GSD2 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diotec Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 8A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -50°C ~ 150°C
1N5819 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 1 MA @ 40 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 600 MV @ 1 A
G3S12010BM · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Global Power Technology-GPT
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 19.8A (DC)
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -55°C ~ 175°C
BD850YS_L2_00001 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Panjit International Inc.
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 50 µA @ 50 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 750 MV @ 8 A
S16ASD2 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diotec Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 8A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -50°C ~ 150°C
RBR1VWM30ATR · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Rohm Semiconductor
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 50 µA @ 30 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 480 MV @ 1 A
BD850YS_S2_00001 · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Panjit International Inc.
- Corriente de fuga inversa a Vr
- 50 µA @ 50 V
- Tensión directa máxima (Vf) a If
- 750 MV @ 8 A
SK3045CD2-3G · Componentes electrónicos
- Fabricante
- Diotec Semiconductor
- Corriente rectificada media (Io) / diodo
- 15A
- Temperatura de funcionamiento de la unión
- -50°C ~ 150°C